Các tính chất truyền dẫn điện của một số cấu trúc nano graphene

Abstract

Luận án đề xuất mô hình thế giam cầm dạng Gauss để mô tả các đặc trưng truyền dẫn của các GBJs. Ưu điểm của thế này là: (i) tính thực tiễn, nó phản ảnh tốt dáng điệu thế tĩnh điện tạo bởi các gate với các tham số xác định chính xác như trong thực nghiệm và (ii) tính đơn giản, nhờ dạng hàm thế liên tục này phương trình Dirac có thể giải dễ dàng và hiệu quả bằng phương pháp T-ma trận. Ngoài ra, thế dạng Gauss cho phép chúng tôi khảo sát các GBJs ở tất cả các chế độ mật độ điện tích (npn, pnp, nn’n, hay pp’p) bao gồm cả các miền chuyển trơn tru giữa các chế độ này.