Nghiên cứu tính chát quang của cấu trúc một chiều ZnS chế tạo bằng phương pháp bốc bay nhiệt

Abstract

Luận án nghiên cứu và chế tạo thành công vật liệu ZnS cấu trúc thấp chiều bằng phương pháp bốc bay nhiệt trên đế Si và đế Si có lớp SiO2 trên bề mặt (Gọi tắt là đế Si/SiO2); Chế tạo được các cấu trúc thấp chiều ZnS cho phát quang mạnh do chuyển tiếp gần bờ vùng và nghiên cứu ảnh hưởng của lớp SiO2 trên bề mặt đế lên pha, thành phần và tính chất quang của các cấu trúc thấp chiều ZnS; Chế tạo được các cấu trúc ZnS lai hóa với ZnO nhằm nghiên cứu sự tăng cường phát quang và phát laze của cấu trúc này; Nghiên cứu ảnh hưởng của các kim loại chuyển tiếp như Mn, Cupha tạp vào mạng nền của các cấu trúc thấp chiều ZnS lên sự phát quang của các tâm phát quang trong mạng nền ZnS.