Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp chức năng nano ZnO đến hoạt động của pin mặt trời màng mỏng glass/TCO/nanoZnO/CdS/CuInS2/Me lắng đọng bằng phương pháp USPD-ILGAR

Abstract

Luận án nghiên cứu và phát triển công nghệ lắng đọng không chân không: USPD-ILGAR; Nghiên cứu lắng đọng lớp cửa sổ nanoZnO, nanoZnO:In, nanoZnO:Al, bằng phương pháp phun phủ nhiệt phân hỗ trợ siêu âm USPD để xác định quy trình công nghệ phù hợp; Nghiên cứu lắng đọng lớp hấp thụ CuInS2 bằng phương pháp USPD để xác định quy trình công nghệ phù hợp; Nghiên cứu lắng đọng lớp đệm CdS bằng phương pháp USPD-ILGAR để xác định quy trình công nghệ phù hợp; Khảo sát ảnh hưởng của các thông số công nghệ lắng đọng tới 2 tính chất của các phân biên ZnO/CdS và CdS/CuInS2 bằng phương pháp phổ trở kháng phức CIS; Ứng dụng phần mềm SCAPS-1D để thiết kế pin mặt trời màng mỏng cấu trúc đảo kiểu Glass/ITO/nanoZnO/CdS/CuInS2/Me; Nghiên cứu chế tạo thử nghiệm pin mặt trời màng mỏng cấu trúc đảo Glass/ITO/nanoZnO/CdS/CuInS2/Me bằng phương pháp USPD-ILGAR.