Please use this identifier to cite or link to this item: http://thuvienso.quochoi.vn/handle/11742/74481
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorPhạm Văn Hội-
dc.contributor.advisorBùi Huy-
dc.contributor.authorNguyễn Thúy Vân
dc.date.issued2018-09-06
dc.date.submitted2018-09-13
dc.identifier.other31893
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11742/74481-
dc.description.abstractMục đích nghiên cứu của luận án nhằm nghiên cứu chế tạo cấu trúc vi cộng hưởng quang tử 1D bằng phương pháp ăn mòn điện hóa trên đế silic với vùng bước sóng hoạt động trong vùng khả kiến từ 200÷800 nm. Cấu trúc vi cộng hưởng 1D này có độ phản xạ cao, có độ bán rộng khe hẹp và kích thước lỗ xốp đồng đều.-
dc.format.extent165 tr.
dc.language.isovi
dc.rightsHọc viện KHCN - Viện Hàn lâm khoa học và Công nghệ Việt Nam
dc.subjectVi cộng hưởng quang tử 1D-
dc.subjectCảm biến quang-
dc.titleNghiên cứu chế tạo và khảo sát các tính chất của vi cộng hưởng quang tử 1D làm cảm biến quang
dc.typeLuận án, luận văn
dc.coverageThư viện Quốc hội
dc.source.methodluanvan.moet.edu.vn
Appears in Collections:Phân quyền - Khoa học

Files in This Item:
Thumbnail
  • Dong_gop_moi_VanE.pdf
    Bản quyền quốc hội
  • F:\MOET\LVLA\zip\31893
    • Size : 846,13 kB

    • Format : Adobe PDF

  • Thumbnail
  • Dong_gop_moi_VanV.pdf
    Bản quyền quốc hội
  • F:\MOET\LVLA\zip\31893
    • Size : 887,26 kB

    • Format : Adobe PDF

  • Thumbnail
  • Luan_van_Nguyen_Thuy_Van_cap_Hoc_vien_Gui_Quynh.pdf
    Bản quyền quốc hội
  • F:\MOET\LVLA\zip\31893
    • Size : 5,89 MB

    • Format : Adobe PDF

  • Thumbnail
  • Tom_tat_luan_an_TA_Nguyen_Thuy_Van.pdf
    Bản quyền quốc hội
  • F:\MOET\LVLA\zip\31893
    • Size : 1,57 MB

    • Format : Adobe PDF

  • Thumbnail
  • Tom_tat_TV_Luan_an_Nguyen_Thuy_Van.pdf
    Bản quyền quốc hội
  • F:\MOET\LVLA\zip\31893
    • Size : 1,46 MB

    • Format : Adobe PDF



  • Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.