Please use this identifier to cite or link to this item:
http://thuvienso.quochoi.vn/handle/11742/74481
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | Phạm Văn Hội | - |
dc.contributor.advisor | Bùi Huy | - |
dc.contributor.author | Nguyễn Thúy Vân | |
dc.date.issued | 2018-09-06 | |
dc.date.submitted | 2018-09-13 | |
dc.identifier.other | 31893 | |
dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/11742/74481 | - |
dc.description.abstract | Mục đích nghiên cứu của luận án nhằm nghiên cứu chế tạo cấu trúc vi cộng hưởng quang tử 1D bằng phương pháp ăn mòn điện hóa trên đế silic với vùng bước sóng hoạt động trong vùng khả kiến từ 200÷800 nm. Cấu trúc vi cộng hưởng 1D này có độ phản xạ cao, có độ bán rộng khe hẹp và kích thước lỗ xốp đồng đều. | - |
dc.format.extent | 165 tr. | |
dc.language.iso | vi | |
dc.rights | Học viện KHCN - Viện Hàn lâm khoa học và Công nghệ Việt Nam | |
dc.subject | Vi cộng hưởng quang tử 1D | - |
dc.subject | Cảm biến quang | - |
dc.title | Nghiên cứu chế tạo và khảo sát các tính chất của vi cộng hưởng quang tử 1D làm cảm biến quang | |
dc.type | Luận án, luận văn | |
dc.coverage | Thư viện Quốc hội | |
dc.source.method | luanvan.moet.edu.vn | |
Appears in Collections: | Phân quyền - Khoa học |
Files in This Item:
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

THƯ VIỆN QUỐC HỘI - VĂN PHÒNG QUỐC HỘI
Địa chỉ: Nhà Quốc Hội, Đường Độc Lập, Ba Đình, Hà Nội
Điện thoại: 080.41947
Email: thuvienquochoi@quochoi.vn