Nghiên cứu tính chất điện tử của vật liệu hai chiều monochalcogenide

Please use this identifier to cite or link to this item: http://thuvienso.quochoi.vn/handle/11742/75017

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	Nguyễn Ngọc Hiếu	-
dc.contributor.advisor	Bùi Đình Hợi	-
dc.contributor.author	Võ thị Tuyết Vi
dc.date.issued	2022-03-18
dc.date.submitted	2022-03-25
dc.identifier.other	39306
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/11742/75017	-
dc.description.abstract	Luận án nghiên cứu tính chất điện tử của các vật liệu hai chiều đơn lớp monochalcogenide nhóm III MX (M = Ga, In và X = S, Se, Te) và các cấu trúc bất đối xứng Janus được hình thành từ các vật liệu hai chiều monochalcogenide nhóm III như M2XY (X/Y = S, Se, Te; X  Y) và GaInXO bằng phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ.	-
dc.format.extent	142 tr.
dc.language.iso	vi
dc.rights	Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế
dc.subject	Tính chất điện tử	-
dc.subject	Vật liệu hai chiều monochalcogenide	-
dc.title	Nghiên cứu tính chất điện tử của vật liệu hai chiều monochalcogenide
dc.type	Luận án, luận văn
dc.coverage	Thư viện Quốc hội
dc.source.method	luanvan.moet.edu.vn
Appears in Collections:	Phân quyền - Khoa học