Please use this identifier to cite or link to this item: http://thuvienso.quochoi.vn/handle/11742/62641
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorNguyễn Thị Thúy
dc.date.issued2017-04-13
dc.date.submitted2017-04-20
dc.identifier.other28661
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11742/62641-
dc.description.abstractLuận án tổng hợp được các SiNW trên đế Si bằng hai phương pháp phún xạ catốt RF và bốc bay nhiệt từ nguồn rắn; làm rõ ảnh hưởng của các thông số chế tạo lên hình thái, cấu trúc, tính chất của SiNW; tìm hiểu nguồn gốc, cơ chế phát huỳnh quang của SiNW và sự ảnh hưởng của các thông số chế tạo lên tính chất phát xạ huỳnh quang.-
dc.format.extent25 tr.
dc.language.isovi
dc.rightsĐại học Bách Khoa Hà Nội
dc.subjectChế tạo và nghiên cứu-
dc.subjectĐặc tính của dây nano Si-
dc.titleChế tạo và nghiên cứu các đặc tính của dây nano Si
dc.typeLuận án, luận văn
dc.coverageThư viện Quốc hội
dc.source.methodluanvan.moet.edu.vn
Appears in Collections:Phân quyền - Công nghệ

Files in This Item:
Thumbnail
  • 28661.pdf
    Bản quyền quốc hội
  • F:\PDFs
    • Size : 1,17 MB

    • Format : Adobe PDF



  • Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.