Nghiên cứu tính chất điện tử của vật liệu hai chiều monochalcogenide

Abstract

Luận án nghiên cứu tính chất điện tử của các vật liệu hai chiều đơn lớp monochalcogenide nhóm III MX (M = Ga, In và X = S, Se, Te) và các cấu trúc bất đối xứng Janus được hình thành từ các vật liệu hai chiều monochalcogenide nhóm III như M2XY (X/Y = S, Se, Te; X  Y) và GaInXO bằng phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ.